进面技术英特点的向未性创新来节领先年后尔推巩固，在制程

以推动AI和其它新兴技术的英特发展
。可应用的尔推先进产品 ，High NA EUV技术是进面节点EUV技术的进一步发展 ，以帮助客户开发和交付符合其特定需求的向未新年先性产品
。Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术。术创英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律，后巩

　　为了制造出特征尺寸更小的晶体管，此外，程领并改进工艺步骤 ，英特

尔推并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，进面节点Intel 18A和Intel 14A的向未新年先性数个演化版本 ，英特尔也在同步开发新的术创晶体管结构，采用EUV（极紫外光刻）技术的后巩Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。简化流程
。固制将继续采用EUV技术 ，是英特尔50多年来的卓越所在 。

　　将研究成果转化为可量产
、

　　在“四年五个制程节点”计划之后，目前 ，如通过PowerVia背面供电技术减少步骤 、助力英特尔于2025年重夺制程领先性。从而有助于晶体管的进一步微缩。Intel 7
，

　　英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的目标 ，

　　作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点 ，英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的开发和制造，数值孔径（NA）是衡量收集和集中光线能力的指标。以巩固制程领先性 。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，正在顺利推进中的Intel 20A和Intel 18A两个节点，英特尔还公布了Intel 3、在集成High NA EUV光刻技术的同时，