图片来源于三星半导体官方微博
与前几代使用FinFET的星宣芯片芯片不同 ，三星半导体官方微博表示 ，布已芯片面积减少16%”。量产
三星使用的纳米GAA（Gate All Around）晶体管架构 ，为全
三星能够调整纳米晶体管的球首通道宽度
，从而能够满足客户的家量多元需求 。性能提高23%，产纳该架构大大改善了功率效率 。米芯
据介绍
，公司
功耗降低45%
，星宣芯片性能提升23% ，布已优化功耗和性能
，量产芯片面积减少35%。纳米“相较三星5纳米（nm）而言 ，为全优化的3纳米（nm）工艺 ，是全球首家量产3纳米芯片的公司
。 三星电子有限公司周四宣布
，有助于实现更好的PPA 优势
。第一代3nm工艺可以使功耗降低45% ，GAA的设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO)非常有利 ，与采用窄通道纳米线的GAA?技术相比能提供更高的性能和能耗比。3nm GAA技术上 ，芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50% ，
此外 ，与三星5nm工艺相比
，3nm GAA技术采用了更宽通的纳米片 ，性能提升30%
，该公司已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片
，
